Wyślij wiadomość
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Poczta: eric_wang@zmsh-materials.com TEL: 86-1580-1942596
Dom > Produkty > GaAs Wafer >
2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED
  • 2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED
  • 2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED
  • 2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED
2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED

2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED

Miejsce pochodzenia CHINY
Nazwa handlowa zmsh
Orzecznictwo ROHS
Numer modelu 6-CALOWY wafel GaAs
Szczegóły Produktu
Materiał:
MONOcrystal GaAs
PRZEMYSŁ:
płytka półprzewodnikowa Do ld lub led
Aplikacja:
podłoże półprzewodnikowe, układ ledowy, okno ze szkła optycznego, podłoża urządzeń
metoda:
CZ
Rozmiar:
2 cale ~ 6 cali
Grubość:
0,425 mm
Powierzchnia:
cmp/trawione
doping:
Domieszkowany Si
Minimalne zamówienie:
10 sztuk
Stopień:
stopień badawczy / stopień obojętny
High Light: 

2-calowe wafle Si Dopant GaAs

,

dwustronnie polerowane wafle GaAs

,

podłoża z arsenku galu LED

Opis produktu

2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Podłoża z arsenku galu Dwustronnie polerowane do zastosowań LED
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------------------

Płytka GaAs 

Arsenek galu jest związkiem złożonym z metalicznego galu i półmetalicznego arsenu w stosunku atomowym 1:1.Ma szary metaliczny połysk, a jego struktura krystaliczna jest typu sfalerytu.Arsenek galu został zsyntetyzowany już w 1926 roku. Jego właściwości półprzewodnikowe zostały potwierdzone w 1952 roku. Urządzenia wykonane z materiałów z arsenku galu mają dobrą charakterystykę częstotliwościową, dużą prędkość i wysoką temperaturę pracy, co może zaspokoić potrzeby zintegrowanej optoelektroniki.Jest to obecnie najważniejszy materiał optoelektroniczny, ale także najważniejszy materiał mikroelektroniczny po materiale krzemowym, nadaje się do produkcji urządzeń i obwodów o wysokiej częstotliwości i szybkości.

 

Aplikacja
W dziedzinie mikroelektroniki, szybkie obwody cyfrowe z arsenku galu, mikrofalowe obwody monolityczne, fotoelektryczne układy scalone i tranzystory polowe dużej mocy opracowane przez technologię samoprzydziałowej płaszczyzny bezpośredniego wszczepiania jonów na częściowo izolowanym arsenku galu jako matrycy mają właściwości o dużej szybkości, wysokiej częstotliwości, niskim poborze mocy i odporności na promieniowanie, które mają nie tylko ogromne znaczenie w obronności kraju.Jest szerzej stosowany w budownictwie cywilnym i krajowym.W dziedzinie komunikacji częściowo izolowane materiały z arsenku galu są stosowane głównie w urządzeniach komunikacyjnych o wysokiej częstotliwości, napędzanych przez cywilny rynek komunikacji bezprzewodowej w ostatnich latach, zwłaszcza rynek telefonów komórkowych, wielkość rynku częściowo izolowanych materiałów z arsenku galu jest również szybko rośnie.
 
Szczegóły specyfikacji
Typ/Domieszka 导电类型/掺杂元素 Półizolowane Typ P/Zn Typ N/Si Typ N/Si
Aplikacja 应用 mikro elektronika PROWADZONY Dioda laserowa
Metoda wzrostu 长晶方式 VGF
Średnica 直径 2", 3", 4", 6"
Orientacja 晶向 (100)±0,5°
Grubość 厚度 (µm) 350-625um ± 25um
OF/IF 参考边 US EJ lub Notch
Carrier Concentration 载流子浓度 - (0,5-5)*1019 (0,4-4)*1018 (0,4-0,25)*1018
Rezystywność 电阻率 (ohm-cm) >107 (1,2-9,9)*10-3 (1,2-9,9)*10-3 (1,2-9,9)*10-3
Mobilność 电子迁移率 (cm2/VS) >4000 50-120 >1000 >1500
Gęstość podziałki trawienia 位错密度(/cm2) <5000 <5000 <5000 <500
TTV 平整度 [P/P] (µm) <5
TTV 平整度 [P/E] (µm) <10
Osnowa 翘曲度 (µm) <10
Powierzchnia wykończona 表面加工 P/P, P/E, E/E

 

 

 

2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED 02-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED 12-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED 2


O NASZYM ZMKJ

ZMKJ lokalizuje się w mieście Szanghaj, które jest najlepszym miastem w Chinach, i powstaje nasza fabryka
w mieście Wuxi w 2014 roku. Specjalizujemy się w przetwarzaniu różnorodnych materiałów na płytki, podłoża
i dostosowane części ze szkła optycznego. komponenty szeroko stosowane w elektronice, optyce,
optoelektronika i wiele innych dziedzin.Ściśle współpracujemy również z wieloma krajowymi
i zamorskie uniwersytety, instytucje badawcze i firmy dostarczają produkty dostosowane do indywidualnych potrzeb
i usług dla swoich projektów badawczo-rozwojowych.
Naszą wizją jest utrzymywanie przez nas dobrych relacji współpracy z naszymi wszystkimi klientami
dobre reputacje.więc możemy również dostarczyć inne podłoża materiałowe, takie jak:
2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED 3
Opakowania – Logistyka
Worldhawk dotyczy każdego szczegółu opakowania, czyszczenia, antystatyki, leczenia wstrząsami.
W zależności od ilości i kształtu produktu podejmiemy inny proces pakowania!
2-calowe Si Dopant GaAs Wafle Arsenek galu Substraty Dwustronnie polerowane do LED 4
często zadawane pytania –
P: Co możesz dostarczyć logistykę i koszty?
(1) Akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF i FOB
i zapłacić warunek 50% depozytu, 50% przed dostawą.
 
P: Jaki jest czas dostawy?
W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 lub 3 tygodnie robocze po złożeniu zamówienia.
 

P: Jakie jest MOQ?
(1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 5 sztuk.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 10 sztuk-30 sztuk.
P: Czy masz raport z kontroli materiału?
Możemy dostarczyć szczegółowy raport dla naszych produktów.

 

Tagi:

opłatek z arsenku indu,

opłatek Gaas,

substrat laalo3

rekomendowane produkty

Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie

86-1580-1942596
Rm5-616, nr 851, aleja Dianshanhu, obszar Qingpu, miasto Szanghaj, CHINY
8615801942596
eric406337393
eric_wang@zmsh-materials.com
Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas